什么是场效晶体管 场效应晶体管的定义

什么是场效晶体管

场效晶体管（Field Effect Transistor，FET）是一种用于放大、开关、调节电子信号的半导体器件。常用于数字电子与模拟电子电路中，取代了双极性晶体管（BJT）等器件。

工作原理

场效晶体管的工作原理是利用外界的电场来改变导电通道的电阻，从而改变电流的流动。其结构由粒子掺杂的半导体材料组成，主要有三个区域：栅极、漏极和源极。栅极与漏极之间通过了一个浅掺杂的通道，漏极和源极之间则为一个强掺杂区，称为漏结。

当给栅极加上电压，栅极与通道之间的电场就会改变通道的电阻，导致电流的流动受到影响。浅掺杂层的掺杂浓度、栅极所施加电压等都会影响通道电阻的大小。

优点与应用

相比双极晶体管，场效晶体管具有以下优点：

1.输入电阻大，耗电低，稳定性和线性好；

2.速度更快，成本更低；

3.可实现集成化、微型化、低噪声化等特性。

因此，场效晶体管被广泛应用于模拟电路、放大器、开关、振荡器、数据处理等方面，并且是现代集成电路的重要组成部分。

种类

目前场效晶体管主要分为两类：MOSFET和JFET。

MOSFET分为MOS（Metal Oxide Semiconductor）和IGFET（Insulated Gate Field Effect Transistor）两种。MOSFET是应用最广泛、最常用的一种场效晶体管，它可以用于大功率调节和开关电路，也可作为微小信号放大器使用。

JFET（Junction Field Effect Transistor）是利用PN结中的空间电荷区域控制电流的场效应晶体管。它由PN结形成的直接过渡型场效晶体管，有许多种电子元器件中都得到了广泛应用。