场效应管的VT,即Threshold Voltage,也叫阈值电压,是指场效应管在工作时,门极与源极的电压达到某一特定值时,漏极与源极之间开始导通的电压值。在此之前,场效应管的导通状态是关闭的。
VT的大小决定了场效应管是否能够工作。从VT的定义可以看出,它是一个重要的参数。VT受到多种因素的影响,如半导体材料的物理特性、掺杂浓度等。在实际应用中,需要根据需要选取合适的VT值的场效应管。
K是场效应管的放大系数,它是指漏极电流变化与控制电压之间的比例关系。也就是说,K值越大,场效应管的放大程度越高,能够承受的电流也越大。
场效应管的K值受到多种因素的影响,包括半导体材料的物理特性、器件几何形状、工艺等。在实际应用中,需要根据需要选取合适的K值的场效应管。需要注意的是,场效应管的K值可能会因为工作温度的影响而产生变化。
提高场效应管的VT和K可以通过多种方法实现。一个常用的方法是通过改变掺杂浓度来调节这两个参数的值。
提高场效应管的VT:增加P型或减少N型材料的掺杂浓度可以提高VT的值。此外,通过改变半导体材料的组成,和增加注入井(Implanted well)来增加杂质浓度的方法也可以提高VT值。
提高场效应管的K:K值可以通过缩小沟道长度、增加沟道宽度等来提高。
需要注意的是,对场效应管中其他参数的影响需要在调节VT和K时综合考虑,以达到更好的效果。