IGBT,全称为Insulated Gate Bipolar Transistor,是一种高压、大电流的半导体器件。它的结构类似于MOSFET晶体管,但是其具有双极性,既可像MOSFET一样控制电流,也可像普通的二极管一样进行导通控制。同时,IGBT在开关速度和SOA能力上比MOSFET和BJT优秀,也是现代高端功率电子设备中最重要的一个组成部分。
IGBT的控制方式有两种,一种是VCE控制(即电压控制),另一种是VGE控制(即电流控制)。在电路中,IGBT虽然可以使用PWM、直流或正弦波等多种形式的控制信号进行驱动,但是大部分情况下通常采用由模块内置的推挽驱动芯片产生的高低电平脉冲来进行控制。
IGBT进行控制时所使用的脉冲信号具有高频率、高电压和大电流的特点。其中,高频率的信号能够使得转换速度更快,减少功率损耗;高电压的信号则保证了IGBT能够驱动到额定的输出功率;大电流的信号能够使得IGBT更加稳定、可靠。
通常,提供给IGBT的脉冲信号由多种电路组成,包括晶体管、逻辑门、反相器、RC电路等。这些电路可协同工作,产生高速、精准的脉冲信号供给IGBT,从而确保其正常运转和高效发挥功效。