LED是一种半导体器件,其正向电压比较小,反向电流较小是其较为突出的特点,究竟是为什么呢?以下从材料结构、能带结构以及工艺流程等几个方面进行分析。
LED主要由P型半导体、N型半导体以及P-N结组成。其中,P型半导体中导带以下的能级(空穴能级)较多,N型半导体中导带以上的能级(电子能级)较多。当两种半导体通过P-N结连接时,形成势垒,禁止区中空穴和电子都被束缚在自己的区域内,不易穿越到对方区域。在这个过程中,由于势垒作用,P端产生的空穴会向N端扩散,N端产生的电子会向P端扩散,进而产生电流。但是,当材料中存在缺陷或杂质等因素时,导带以下或价带以上的一些杂质能级就可能产生,例如P型区中的杂质能级,会吸收掉N端电子,使电子能够直接通过P-N结向P端扩散,形成反向电流。因此,在制备 LED 时,需要严密把关材料纯度,避免产生杂质能级。
由于LED的P-N结具有势垒,导带下的空穴和价带上的电子难以跨越势垒,从而形成正向电流。反向电流实际上是空穴和电子被势垒束缚在各自的区域内时,受到热激发的影响,凭借自身的能量向势垒中的禁止带区域穿越的现象。但是,由于在禁止带中不存在电子能量可以匹配的势垒,因此无法形成电流。
在 LED 制作过程中,一般都会在 P 区域表面进行覆盖保护层,以免在制作过程中的一些污染物、水分等杂质附着在空穴和电子传输区域,进而影响其正常工作。同时,保护层还可以隔离氧气等氧化性杂质,防止其侵蚀 LED 材料内部,影响其稳定性,进而影响其反向电流的大小。
综上所述,LED 反向电流较小的原因主要包括材料结构、能带结构和工艺流程等多个方面。在制备过程中,要严格控制各种杂质的含量,避免产生缺陷能级,从而保证其反向电流的小。