MOS管是一种场效应晶体管,它是利用氧化硅(SiO2)在电场下具有很高的电容率,将其作为绝缘层,形成三层结构的一种半导体元器件。它广泛应用于电子设备中,包括电视、电脑、手机等。相较于传统的晶体管,MOS管具有体积小、功率消耗低、频率特性好等优点。
MOS管的内部结构包含三个层次:P型衬底、N型增强型沟道和P型栅极。在这三个层次中,N型增强型沟道是电子的主要通道。当栅极对沟道加压时,可以改变通道内的电子浓度,从而控制MOS管的导通状态。同时,SiO2层在栅极与增强型沟道之间,可以阻止栅极与沟道之间的电荷流通,所以MOSFET可以实现高阻抗输入的目的,也方便制造更小的MOS管器件。
MOS管可以根据工作方式、制造工艺、技术水平等多方面进行分类。其中,最基本的分类方法是根据沟道类型,可以将MOS管分为N沟道MOSFET和P沟道MOSFET两类。此外,还有双极型MOS管、DMOS、VMOS等类型。
MOS管的封装形式分为导管封装、表面贴装封装、插接式封装等。导管式MOS管是最早出现的一种封装形式,包括了TO-3、TO-18、TO-126等型号。表面贴装封装则是近年来最为广泛使用的一种MOS管封装,包括了TSOP、SOIC、QFP等型号。插接式封装则是一种限制较大的MOS管封装类型,包括了DIP封装等。