温度对电子迁移率有什么影响 温度如何影响电子迁移率

温度对电子迁移率有什么影响

电子迁移率是指在半导体物质中，电子在电场作用下的平均漂移速度与电场强度的比值，它是描述电子运动特性的重要参数。而温度则会对电子迁移率产生影响。以下从四个方面，分别讨论温度对电子迁移率的影响。

1、载流子浓度对电子迁移率的影响

温度的上升会导致半导体中的键振动增强，硅键振动会导致斥力增强，因此在一定程度上会减少电子的迁移率。此外，温度升高也会导致半导体中的杂质离子振动增强，增大了电子与电离子相互作用的概率，也会减少电子的迁移率。

2、材料结构对电子迁移率的影响

材料的结构也会对电子迁移率产生影响。在温度升高的情况下，半导体材料的晶格结构会发生变形，从而对电子的散射产生影响，导致电子的迁移率下降。此外，缺陷也会影响电子的迁移率，材料中的缺陷数量相对较多时，缺陷能态的数量也会增加，这会对电子的迁移产生一定的阻碍。

3、禁带宽度对电子迁移率的影响

禁带宽度也是影响电子迁移率的重要因素。半导体中的禁带宽度与温度有密切的关系，温度升高会导致禁带宽度减小，这会增大电子与杂质离子相互作用的概率，从而影响电子的迁移。同时，禁带宽度减小也会促进载流子的发射，这也会对电子的迁移率产生影响。

4、电子声子相互作用对电子迁移率的影响

在晶体热运动的过程中，电子和离子之间会相互作用，这种相互作用会导致电子受到散射。温度的上升会导致晶体中的离子振幅增大，增加电子与离子之间的相互作用概率，从而影响电子的迁移率。此外，温度的升高也会导致半导体内部的声子数目增加，增大了电子与声子相互作用的概率，也会对电子的迁移率产生影响。