三极管rbe是指三极管的反向击穿电阻值,即反向基-emitter电阻(Reverse Base-Emitter Resistance)。
该值可用于测量三极管的质量,一般情况下,rbe越大,三极管的质量越好。
测量三极管rbe的方法是通过反向偏置三极管的B-E结,施加一定的反向电压,然后测量反向电流,再根据欧姆定律计算出反向击穿电阻值。
测量时需要注意的是,要施加足够大的反向电压,但又不能过大,一般在5-10V之间比较适宜,同时还需要注意使用合适的万用表进行测量。
三极管rbe不仅可以作为衡量三极管质量的参考指标,还可以作为三极管正向放大的参考值。
在三极管的正向放大电路中,通过对三极管的偏置电路控制rbe的大小,可以达到控制放大倍数的目的。
影响rbe值的因素有很多,最主要的是温度和漏电流。
温度的变化会引起rbe值的变化,一般来说,温度升高rbe值会降低。
另外,漏电流也会对rbe值产生影响,因为漏电流会使反向击穿电流发生变化,进而导致rbe值的不稳定。