BJT是双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor)的简称,被广泛应用于电子电路中。在BJT的微观等效电路中,Rbe是BJT的输入电阻,而26则代表BJT中的发射层区域。
BJT晶体管包含三个区域:发射层区域、基层区域和集电层区域。这三个区域的掺杂浓度和类型不同,使得BJT具有放大电流和电压的特性。
发射层区域是一段高掺杂浓度的区域,在NPN型BJT中,是一个n型区域。该区域中的自由电子会向基区域注入电子,形成少数载流子流。同时,基区域中的大量空穴也会被注入到发射层区域中。
基区域是BJT中掺杂浓度较低的区域,在NPN型BJT中,是一个p型区域。该区域中的夹带杂质会形成带电离子,当发射区域中的电子注入基区域时,这些带电离子会将电子束缚。这个现象称之为“空穴“。”发射区电流+基区电流=集电区电流“。
集电层区域是一个较大的、轻掺杂浓度的区域,在NPN型BJT中,是一个p型区域。该区域主要起到收集电流的作用,将从基区域注入集电区域的电子聚集到一个位置。
BJT微观等效电路是将BJT的内部结构通过等效替换电路简化后的模型,主要有三个参数:β、Rbe、Rce。
其中,β是BJT的放大倍数,代表集电电流和发射电流的比值。Rbe是BJT的输入电阻,代表基极电压和发射极电流之比。Rce是BJT的输出电阻,代表集电电压变化和集电电流变化之比。
在BJT中,26代表发射区域的位置。当BJT在工作时,发射区域的掺杂与基区掺杂不同,形成p-n结。在这个p-n结处,BJT的电流放大作用被实现。因此,在微观等效电路中,通过Rbe参数来代表发射区域的电性特征。
BJT中的Rbe在不同的工作状态下会有不同的取值范围。当BJT处于正向放大区时,Rbe较小;当BJT处于反向截止区时,Rbe极大。通过对Rbe的控制,可以实现对BJT的输出电压和电流的控制。
由于BJT具有电流放大作用和制造工艺简单等优点,因此广泛应用于电路中。BJT可以用作信号放大器,稳压器,开关等。此外,由于BJT具有输入电阻低的特点,也经常用于电子数字电路中。
总之,在电子电路中,BJT是一个重要的元器件。对于电子工程师来说,深入了解BJT的内部结构和微观等效电路模型,对于设计稳定、高效的电路是必不可少的。