可控硅是一种常用的半导体器件,在电子行业中被广泛使用。而在使用可控硅时,击穿则是一种常见的故障。本文将从以下几个方面阐述可控硅击穿的原因。
可控硅的正向电压、反向电压是固定的,而触发电压取决于外界给定的触发脉冲电压。在一些应用场合中,当负载突然消失,但对其的控制信号没有消失时,可控硅可能会遭受到加大的电压。这时,如果外界电压超过了可控硅的击穿电压,那么就会出现击穿故障,导致设备损坏。
此外,当把可控硅直接接在电源上并出现电压过大的情况时,也有可能会导致可控硅的击穿。
过电流是可控硅击穿的另一个原因。当电流超过可控硅能承受的最大值时,可控硅将被过载,进入因电流过大而受损的状态,产生击穿现象。
在一些情况下,负载开路或发生故障,信号没有指示可控硅断开以保护设备的情况下,过电流也可能导致可控硅损坏。
可控硅工作时,由于电子受激发而引起局部高温,可能会导致可控硅局部温度过高。一旦出现过高的温度,可控硅就会发生击穿故障。另外,在使用可控硅时,需要注意散热问题,一些实验表明,可控硅的工作寿命与散热方式有关。
在使用可控硅时,触发瞬间电流过大也是导致可控硅击穿的原因之一。如果过电流超过了可控硅的极限承受范围,那么就会导致可控硅的击穿。
总之,上述是可控硅击穿的几个原因。在使用可控硅时,需要考虑以上因素,避免可控硅遭受到过电压、过电流或过高温等因素的影响,以便获得更好的效果。