IBGT即Insulated Gate Bipolar Transistor，中文名隔离栅双极晶体管。它是一种集电极开关和双极晶体管导通的优点于一身的新型晶体管器件，广泛应用于高压、大电流、高频和高温等领域。IBGT的结构类似于普通的MOSFET，其区别在于IBGT的P型区和N型区在第一PN结上增加了一个厚的氧化层，使得控制端和动作端之间隔绝了直接的电流路径，实现了控制端向动作端的电离子注入控制，从而实现了高速高效的功率开关。
IBGT具有以下几个特性：
（1）低开启电压：IBGT开启电压与MOSFET类似，VGS仅约为2到4V，低于典型的BJT的0.7V，并比功率MOSFET少得多。
（2）高输入电阻：由于IBGT的栅端和漏端之间存在一个很厚的氧化物层，相对于MOSFET，IBGT具有更高的输入电阻。
（3）低闭合电压下降的温度依赖性：IBGT的闭合电压下降随着温度的升高而减小，相对于MOSFET和BJT具有更低的温度依赖性。
目前，IBGT已经成为电力电子器件领域的重要一员。它的高压、高频、高温应用能力使得IBGT可以应用在各种不同领域，比如说电动势控制、交换电源、变频器、电力变换器和逆变器等等。特别在电力供应系统、高电压直流输电和新能源方面有着广泛的应用。
目前，智能化、数字化、高效化、轻量化和远程化是电力电子技术不可回避的发展趋势。随着新型半导体材料和结构的不断涌现和不断完善，IBGT在电力电子领域的应用前景将会更加广阔。
同时，高可靠性、高故障耐受力、高转换效率的电力电子装置，将会成为IBGT不断研发和改进的方向。随着IBGT的普及和广泛应用，IBGT的成本也会相对下降，未来将成为更多领域的理想选择。
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