BJT是一种双极型晶体管，由P型区域和N型区域组成。P型区域和N型区域之间存在一个PN结。当PN结正向偏置时，少数载流子会从P型区域进入N型区域，增加了N型区域中的载流子浓度。这就导致了P型区域中产生了空穴浓度的降低。这个现象称为PN结击穿。这样，N型区域就成为高注入区，因此可以控制电流的大小。
当BJT工作时，需要提供一个控制电压的信号，这个信号被称为基极电压。增加基极电压可以增加PN结的正向偏压，增加N型区中载流子的浓度，从而在PNP晶体管中增加漂移电流。
当PNP型BJT处于活性区时，电流主要由集电极流入BJT，然后流向发射极，由于集电极和发射极之间是一个PN结，所以PN结的正向偏置强度和PN结表面的载流子浓度决定了电流的大小。当电流经过PN结时，PN结表面的载流子浓度会影响电流的大小。
当提高PN结正向偏置电压时，PN结表面的正向偏压会增加，导致表面的载流子浓度降低，减小了PN结表面的电流。另外，增加基极电压可以缩小集电极电流和发射极电流之间的差距，从而可以控制电流的大小。
BJT的本征区是指中间的中性区域，也称为基区。中性区的大小和本征浓度有关，其宽度决定了BJT的特性。在一个PNP型BJT中，当正向偏置应用到PN结时，由于在可控的漂移电流的帮助下，较多阳极空穴从集电区进入PN结，然后进入基垒。这些空穴与基区中的少数载流子相碰撞。这会导致在基区电子和空穴之间的复合作用，从而减少了电流。
在工作状态下，如果增加基极电压，基区宽度将变窄，这会增加载流子复合的机会。这就导致了电流的减小。因此，可以通过改变基区宽度控制BJT的电流。
综上所述，BJT是以PNP或NPN结的击穿、基极电流和基区宽度的改变等多种机制来控制电流的。这些机制为电路设计提供了更大的灵活性和可控性。理解BJT的控制原理对于电子学工程师和电路设计师来说是非常重要的。
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