IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)栅极可以被类比成控制水管流量的阀门。阀门的开关通过调节控制阀的电磁绕组来完成。同样的,IGBT的控制电压就像电磁绕组,控制电流就像水流,IGBT栅极的控制方式与阀门的控制方式类似。
IGBT的构造包含NPN晶体管和PNP晶体管结构,与MOSFET相似。而不同的是,NPN晶体管的集电极和PNP晶体管的发射极互联成为了一个栅级端口,这个端口对应于MOSFET的门级端口。
IGBT的工作原理是基于PNP-NPN晶体管结构。
在工作时,IGBT的电压控制一侧的N型区域会形成电子,并将这些电子注入P型区域。此外,N型区域的电子也会向左并注入P型区域。因此,在P型区域中,可以看到由左到右的注入电子,同时,从P极和N极之间的IGBT表面的边界获得更多的注入电子。由于N型区域中的电子具有更高的浓度和电荷,因此它是主导的,电子支配区域中驰豫导电的物理效应会导致结构受到控制的PNP晶体管发生导通。P型区域中的电子将流向N型区域,此时会形成一股电流,IGBT会像一个导通的开关一样。
IGBT和MOSFET都是常用的功率半导体器件,但两者存在一定差别:
1)MOSFET的输入电容比IGBT小得多,这意味着MOSFET的开关时间更快。因此,对于开关频率要求较高的应用,MOSFET更受欢迎。
2)对于大电流和高电压应用,IGBT是更好的选择。虽然两者的漏电阻的数量级相同,但IGBT的阻抗更低,因此其在能耗和发热方面具有优势。
3)MOSFET在低电压应用中更受欢迎,例如在数字和低功率应用中。另一方面,IGBT在高电压和高电流应用中更受欢迎,例如在电力电子设备和变频器驱动器件中。
IGBT已被广泛应用于驱动高效率照明、固态调光、DC供电器、UPS、欧气防护、变频器、电动汽车、工业电机驱动、逆变器和太阳能电池等领域。
另外,在电力电子学中,IGBT也是一种非常重要的组件。现在,IGBT已经成为用于把电能从一种形式转换成为另一种形式的不可或缺的工具和设备。