eeprom与flash有什么区别 EEPROM与Flash的区别在哪里？

1、擦写次数

EEPROM和FLASH都是非易失性存储器，但是它们有一个很大的区别，那就是擦写次数的限制。EEPROM的擦写次数一般是10万次左右，而FLASH的擦写次数可以达到100万次以上。这是因为EEPROM是通过在存储单元中注入电荷或者移去电荷来进行擦写，每次擦写都会对EEPROM存储单元的性能产生影响，最终导致寿命下降。而FLASH通过使用一个额外的转换器进行擦写，可以减少存储单元的损耗，因此它的寿命要比EEPROM更长。

2、存储密度

FLASH比EEPROM的存储密度更高，这是由于它的存储单元结构更加复杂。FLASH的存储单元由存储单元膜和穿隧栅极等多个补偿元件组成，因此每个存储单元的密度更高，可以存储更多的信息。而EEPROM的存储单元结构比较简单，每个存储单元只包含一个MOSFET晶体管，因此它的存储密度相对较低。

3、擦除时间

由于EEPROM是通过直接擦写存储单元来实现数据的修改和存储，因此它的擦除时间比较长，一般需要几毫秒到几十毫秒的时间。而FLASH则是通过将存储器中的所有存储单元全部擦除并重新编程的方式来实现数据的修改和存储。虽然这种方式的操作时间比EEPROM长，但是它可以同时擦除多个存储单元，因此在处理大量数据时更加高效。

4、价格

相对来说，EEPROM比FLASH更便宜。这是因为EEPROM的生产工艺相对比较简单，而且由于擦写次数的限制，不适合在需要进行频繁数据修改的场合使用。因此EEPROM的应用范围比FLASH更为有限，价格也相应更低。