MOS(Metal-Oxide-Semiconductor,金属氧化物半导体)是一种新型的电子器件,它结构简单,具有高速、低功耗、低噪声等优点,发挥着越来越重要的作用。
MOS管的结构包括:源、漏、栅极三极,其中源与漏极是电子器件的主要通路,栅极是用来控制源极和漏极之间电荷传输的。MOS管的晶体管可以用来放大信号或作为开关。MOS管在电路中广泛使用,如存储器、微处理器等都需要MOS
静电是指由于物体上的电荷不平衡所导致的一种电现象。静电的产生主要是因为当两种不同材料摩擦或互相分离时会产生电荷,在一段时间内不能消失,即形成了静电。静电可以对电子设备产生严重的危害,例如破坏元器件、干扰电子器件正常工作、影响数据传输等。
MOS管的制造过程中使得MOS管对静电比一般的元器件更加敏感。主要因为MOS管中的氧化物介质对静电特别敏感,这种材料又是 MOS管中关键的一部分。MOS管的生产、测试、组装和使用过程中,因为操作人员没有做好防静电防护工作,容易造成 MOS管损坏。
在生产过程中,MOS管必须与精密的测试工具配合使用。测试人员如果没有采取必要的静电保护措施,就会因手上的电荷通过测试仪器进入 MOS管产生反向电压,使 MOS管受到损坏。
在组装、运输、保管和维修过程中,由于环境温度和湿度的变化,电气元器件存在导电率的差异,从而在电子元器件表面形成电荷。当人或器械在不带电源接地或接地不良的情况下触摸或靠近电子器件时,这些表面的电荷就会通过人或器械沿着静电通路流入电子元器件形成静电放电,这时就可能会使 MOS 管受损。
为了防止 MOS 管因静电损坏,必须采取相应的措施,包括:
1.在制造过程中,必须注意耗材、仪器的静电防护。测试工具应向 MOS 管提供正确的输出信号,以保证 MOS 管的正常工作。测试人员必须注意加装防护体来避免 MOS 管的损坏。
2.在组装、运输、保管和维修过程中,必须妥善保管 MOS 管,保证其不受静电的影响。存放 MOS 管的场所必须保持干燥,并且应遵循电子元器件存放的相关标准。
3.在操作过程中,必须全面了解 MOS 管的性能,避免其接触发生静电放电。
4.静电防护也可以通过使用专用的静电防护设备来实现,如静电加速器、静电探测器等设备,可以有效地防止电子器件受静电的影响,保证电子器件的正常工作。