在开关电源中,boost型拓扑结构是一种常用结构。在这种结构中,boost二极管是一个非常重要的元件,也被称为freewheeling diode,其作用是提供路径给感性负载中的电流。下面将从不同类型的boost二极管的角度,来介绍一下boost diode一般用什么类型。
Silicon Carbide(SiC)二极管是一种新型的半导体材料,它的载流能力比较强,功率损耗比较低,也比较适合在高温下工作。因此,SiC二极管被广泛地应用在boost型拓扑结构中,以提高整个电源的效率。
其中,Cree公司生产的全球领先的SiC二极管,包括Schottky Barrier Diode和PN结二极管,具有超高的瞬时反向耐压特性、低反向电容及低导通电阻,且工作温度可达200℃以上。
在boost型拓扑中,二极管的反向恢复时间是一个非常重要的参数,过长的恢复时间会导致过大的开关电源损耗和较低的效率。
因此,Fast Recovery二极管(FRD)成为boost二极管的另一个选择,它的反向恢复时间很短,采用反平行二极管配置的FRD也可在开关过渡期间以零电压恢复。FRD的导通电压较低,损耗也比较小,但其反向耐压能力比SiC二极管要低很多。
超快速二极管(USRD)是一种新型的电源D设备,其反向恢复时间比FRD更短,在电流关断得非常快的情况下保持很低的反向漏电电流仍然可以保持负载保护。由于USRD的开关特性与高压SiC二极管非常相似,所以USRD已被越来越多地应用于高效准谐振电源之中。
在boost型拓扑中,boost二合一一般采用SiC二极管、Fast Recovery二极管和超快速二极管。选择何种类型的二极管,需根据具体的应用场景需求而定,综合考虑各种参数后,选出能够满足应用要求的最佳方案。