igbt为什么是双极性 IGBT的极性为何是双向的

1、IGBT介绍

晶体管（IGBT）是一种半导体器件，结合了二极管和MOSFET的特性。它由一对N型和P型晶体管组成，中间是反向势垒呈二极管结构，当控制端加上正向电压时，这个区域会形成导通通道，使得整个器件形成导通，反之，如果控制端加上反向电压，则失去导通能力。

2、IGBT双极性结构

IGBT因为有N型和P型晶体管的结合，所以它是双极性器件。即在正向电压下，N型晶体管处于导通状态，发挥功率放大作用；在反向电压下，P型晶体管处于导通状态，发挥电阻控制作用。

在N型晶体管导通的时候，外加电压的正半周期下，IGBT的p区处于反向截止状态，此时VCE较高，因为p区可承受的反向电压比n区小，所以这部分的设备一般特别偿试。而在N型晶体管截止时，器件的P区是导通的。由于P区不会承受很高的电压，因此在负半周时，P区是容易被击穿和损坏的。

3、IGBT电路中的应用价值

IGBT是一种功率半导体器件，具有大电流和高电压的特点，在大功率交流电频率变换驱动和控制,不仅具有很好的控制性能也大大降低了功耗。IGBT在电机控制，节能灯，电磁炉和短路及过流保护等方面得到了广泛应用，提高了电器的效率。

4、结论

IGBT因为具有功率放大的特点，能够在现代电器和交通工具中发挥巨大的作用。同时双极性结构的设计模式大大增强了其承受反向电压范围，确保了在各种工况下能够稳定工作。