晶圆是集成电路的基础材料,而晶圆炉是制造晶圆的关键设备。晶圆炉是一种能够在高温、真空或气氛条件下生长单晶的设备,其主要组成部分是加热装置、反应室和加热室。通过精确的温度、气氛控制,可以在晶圆上生长出高质量的单晶。
晶圆炉按照处理气氛可分为几种类型:氧化型炉、氮化型炉、氯化型炉等。其中氧化型炉较为常见,可用于生长硅单晶。
氧化型炉主要用于生长硅单晶。其工作原理是利用高温氧化可挥发的硅为二氧化硅,在晶圆表面形成一层分子厚度非常薄的氧化硅薄膜,从而控制单晶生长的方向和速度。
晶圆在炉子中加热到一定温度后,炉子内的硅坩埚中的硅开始蒸发并与加入的氧气反应,形成二氧化硅分子。这些分子在晶圆表面聚积形成氧化硅薄膜。接着,晶圆继续加热,在氧化硅膜下方形成硅单晶。
晶圆炉的温度控制是关键环节。炉内温度的控制需要精确地控制加热功率以及气氛的组合比例,保证晶圆生长的准确率和质量。通常采用PID控制系统来实现温度控制,PID三个参数分别代表比例、积分和微分,通过调节这三个参数可以精确控制晶圆炉的温度。
晶圆的温度测量通常采用热电偶、红外线热成像仪等测量装置。在控制系统中,常用模糊控制和神经网络控制来提高控制效果。
晶圆炉广泛应用于集成电路制造、光伏发电、半导体材料等领域。在集成电路制造中,晶圆炉用于生长晶体管、二极管、集成电路等基础器件。在光伏发电中,晶圆炉则用于生产硅片。晶圆炉在半导体材料领域也有被广泛使用,用于生长半导体单晶、金属氧化物材料等。