为什么MOS的功耗比BJT小 MOS与BJT功耗差异何在

1、MOS和BJT的基本结构差异

MOS（金属氧化物半导体场效应管）和BJT（双极性晶体管）是两种常见的半导体器件，它们的内部结构不同，这导致它们在功耗方面有着显著的差异。BJT由两个异种材料组成，具有PN结的结构，当PN结被击穿时，电子流就开始流动。MOS则是由金属、氧化物和半导体三部分组成。它内部的NMOS（n型金属氧化物半导体场效应管）和PMOS（p型金属氧化物半导体场效应管）都是以场效应原理工作，并通过栅极电场控制电子的通道，从而实现对电流的控制。

2、MOS在导通状态下的电流

MOS的导通状态下，场效应管的电流是在导体-绝缘体界面上流动的，这种电流的流动是靠电子迁移。相比之下，BJT中的电流是通过PN结中的少数载流子的复合和多数载流子的扩散流动。由于MOS中的电流流动是在导体-绝缘体界面上的，所以在导通状态下，MOS涉及的载流子较少，这减少了功耗。

3、MOS的输入阻抗高

MOS的输入阻抗比BJT高，这是由于MOS的栅极不会像BJT的基极一样消耗电流。在BJT中，输入信号会耗费一些电流来开启BJT，这会导致BJT的输入阻抗较低。相比之下，MOS的栅极非常灵敏，只需要一个微小的电荷来控制它的导电性能，这意味着MOS的输入阻抗要高得多。

4、MOS的静态功耗低

MOS在不同的工作状态下，静态功耗均非常低。在静态状态下，MOS两端不存在电流流过，因为导电通路断开了。另外，栅极电流微小，因此在静态状态下，MOS的静态功耗可以忽略不计。这是MOS相对于BJT的突出优势，因为BJT在静态状态下依然存在基极电流和少量的集电极电流，功耗相对于MOS要高得多。