MOS管,全称金属氧化物半导体场效应管,是一种半导体电子器件。它具有高的输入电阻、低的噪声、低的功率消耗、高的放大系数等优点,在数码、模拟集成电路、电源管理、电视机、音响、电源适配器、LED驱动器、电池充电、医疗电子、汽车电子、工业控制等领域中得到了广泛的应用。
根据导电型式的不同,MOS管可分为NMOS和PMOS两种。NMOS管导通时,电子从漏极流向源极;PMOS管导通时,空穴从漏极流向源极。另外还有CMOS,即同时采用NMOS和PMOS的器件。CMOS器件是将NMOS和PMOS两种器件的优点结合在一起,具有低功耗、高集成度、宽电压工作范围等特点,是目前集成电路的主流。
MOS管的主要器件是金属氧化物半导体场效应管。在MOS管中,当栅极加正电压时,栅极下面的半导体形成一个具有相反电荷的区域,将沿着漏极-源极通道的射流截住或限制。这就形成了一个在漏极和源极之间的高电阻区域,即截止状态。当栅极加负电压时,与源极和漏极相接触的半导体区域向左或向右移动,使射流能够传输到漏极。这时MOS管处于导通状态。
优点:MOS管具有输入电阻高、带宽宽、电容小等优良特性,能够实现高增益和高速度。同时,它还具有高的噪声容限、低的功耗和开关速度快等优点,成为当前应用最广泛的电子器件之一。
缺点:MOS管具有漏极和源极之间具有很小的阻抗,使用时需要特别注意电源的稳定性和电磁兼容性。此外,由于MOS管的导通区域是可控的,在高瞬时电压作用下,易发生击穿而损坏。