9N50C和9N50是两款MOSFET功率管,均为N沟道MOSFET。他们的主要区别在于封装和尺寸。9N50C采用TO-220封装,尺寸为10mm * 15mm * 4.5mm; 9N50采用TO-247封装,尺寸为15mm * 20mm * 5.5mm。
在相同的工作条件下,9N50C和9N50的电气参数会略有不同。例如,9N50C的最大漏极-源极电压为500V,而9N50的最大漏极-源极电压为600V; 9N50C的漏极电流为9A,而9N50的漏极电流为12A。此外,9N50C的导通电阻为1.2Ω,而9N50的导通电阻只有0.65Ω。
由于9N50C和9N50的参数不同,它们的应用场景也各有不同。9N50C主要用于低电源电压、高开关速度和高频率开关应用,比如脉冲变压器、开关稳压器和DC-DC转换器等。而9N50则更适合用于高电源电压和场效应管开关应用,比如LED照明和离线开关电源等。
在价格方面,9N50C和9N50的价格差距不大,但9N50要略高一些。对于需要大量使用的厂家来说,这一点的差异可能是比较明显的。在性价比方面,9N50C的性价比较高,因为它在一些低电压、高速和高频率应用中表现更为稳定,采用9N50C可以减少设计失败率。