Sram是英文Static Random Access Memory的缩写,中文意思为“静态随机存取存储器”。
Sram是一种基于存储单元和控制电路的集成电路,它的存储单元由一对互补金属氧化物半导体场效应管(CMOS)构成,可以存储一个二进制位。Sram中的CMOS场效应管可以采用不同的结构,如6T、4T等结构。Sram的工作原理是利用电路中的反馈机制,在存储单元中保持一个稳定的状态,这种状态可以持续很长时间。
Sram和Dram都是计算机中常用的存储器,它们之间有许多的区别。
首先,Sram的速度比Dram快得多。这是因为Sram的存储单元由电路中的触发器构成,可以直接从存储单元中读取数据,而Dram的存储单元是由电容器和晶体管构成,需要先将电容器中的电荷按位读出,因此Dram的读取速度比Sram慢。
其次,Sram的功耗比Dram大,毕竟Sram中要使用更多的晶体管。
最后,Sram的密度比Dram低,因此对于存储容量较大的计算机系统,更适合使用Dram。
Sram因其读取速度快、无需刷新、功耗低等特点,被广泛应用于嵌入式系统、高速缓存、指令缓存等领域。另外,由于Sram的数据保持稳定性,还可以用于存储加密密钥等数据。