什么nmos导通电压vgs小 NMOS的导通特性与VGS有关

1、MOSFET的基本工作原理

MOSFET即金属氧化物半导体场效应管，是现代电子技术中使用最广泛的一种器件。它的基本工作原理是：在MOSFET的通道和栅极之间，形成一个电场，通过改变栅极和通道之间的电场来控制MOSFET的输出电流，即根据栅极与通道之间的电势差的变化来控制MOSFET的导通和截止。

2、VGS对MOSFET导通电压影响的原因

VGS即栅源电压，是指MOSFET栅极和源极之间的电压。当VGS小于MOSFET导通电压时，MOSFET处于截止状态，导通电流为0；当VGS大于MOSFET导通电压时，MOSFET处于导通状态，导通电流会随着VGS的增加而增加。而当VGS小于MOSFET导通电压时，MOSFET并不完全处于截止状态，这是由于MOSFET栅极和源极之间会有一个反向漏电流，这个漏电流会引起MOSFET的漏电流和对地的串扰问题。

3、影响MOSFET导通电压的因素

影响MOSFET导通电压的因素有很多，其中包括器件结构参数、管芯工艺参数、器件寄生参数等，这些因素对MOSFET导通电压的影响是综合的，因此很难进行定量的分析。其中，影响MOSFET导通电压最重要的因素为晶体管的结构参数，其中最大的因素为通道长度、厚度以及沟道掺杂浓度。

4、如何降低MOSFET导通电压

在某些应用中，我们需要将MOSFET导通电压降低到尽可能低的程度，以满足应用的要求。其中，常用的降低MOSFET导通电压的方法包括：

1）通过引入更高的沟道掺杂浓度来降低MOSFET导通电压。

2）通过减小晶体管的通道长度、厚度来降低MOSFET导通电压。

3）使用金属等离子体场效应管（MESFET）或HBT等其他器件代替MOSFET。