P型MOS管和N型MOS管是MOS场效应晶体管的两种类型,它们之间最大的区别在于导电方式不同。N型MOS管的导电方式是通过电子,而P型MOS管的导电方式是通过空穴。
空穴是不带电子的斑点,在导电状态下,电子从N型材料流到P型材料,而另一个空穴被迫从P型材料流到N型材料。由于空穴的流动速度比电子的流动速度慢得多,因此PMOS的电流相对较小。
P型MOS管是一个三层结构的器件,它包括源极、漏极和栅极。源极和漏极之间有一个P型的基区,而栅极则在基区和绝缘层之间。在导通状态下,电子从N型绝缘层流过,经过栅极操控,从P型基区流到漏极。
由于空穴的活性比电子小得多,电子在基区中运动时容易遇到空穴,并且容易和空穴形成电子-空穴对。这会使得电子被重新组合,流动的电子数目减少了,因此PMOS的电流也就变得相对较小。
由于PMOS管的基区是P型的,而N型绝缘层和N型衬底之间存在晶体管的PN结,这就会使得PMOS管中漏电流的数量增加。当PMOS管处于断开状态时,这种漏电流也会存在,从而使得PMOS管的静态功耗较高。
除此之外,PMOS管的电流还受到体效应的影响。当PMOS管的栅极电势与基区电势之差变小时,漏极电流也会变小。这就要求PMOS管的栅极电势要尽可能地高,这也限制了PMOS管电流的大小。
综上所述,PMOS管电流较小的原因主要是由于其导电方式为空穴,空穴的速度比电子慢,从而导致电流较小。此外,PMOS管漏电流和体效应也会影响电流大小。
因此,在设计电路时,应该选择合适的管子类型,以避免在功耗和电流方面出现不必要的浪费。