IGBT是Insulated Gate Bipolar Transistor(绝缘栅双极晶体管)的缩写,是一种半导体元件,同时具备MOSFET和普通双极晶体管的优点。IGBT的主要优势是在管子导通时,可承受高电流、高压的工作环境,并且能够控制电流的大小,广泛应用于各种电力电子设备和交流驱动器等领域。
IGBT导通压降,是指通过控制IGBT输入时序实现导通的情况下,在IGBT管子两端产生的电压损失。当IGBT导通时,管子的阻值会变得很小,所以管子两端的电压也会因此而降低。
IGBT导通压降是一个要素,影响着IGBT开关的电气特性。对于某些需要频繁开关的应用场合,如变频器等高速开关控制电路,IGBT导通压降的大小甚至会影响到设备系统的稳定性和效率。
通常,导通压降可以用信号发生器、电流源和示波器来进行测量,其测量电路如下:将信号发生器的信号输入到IGBT的门极,将电流源接在IGBT的控制电极上,然后将示波器连接在IGBT管子的两个端子上测量其电压。
在IGBT导通的情况下,示波器上会显示出一个波形,其中包含了管子导通时的电压损失。通过观察这个波形,可以计算出IGBT实际导通时的压降。
为了减小IGBT导通压降,通常可以通过以下方法来实现: