电路中流过mos管的电流超过了它所能承受的极限,就会导致mos管烧毁。过电流主要有两种情况:
第一种是负载过大,使mos管所能承受的电流被超过,例如在电机驱动中,当电机负荷大、电机额定电流超过mos管承受电流的时候,mos管容易烧毁。
第二种情况是mos管在调试电路时工作条件不良导致的过电流,例如斜率补偿电路不正确,负载短路等原因,都会导致mos管的过电流,从而导致mos管损坏。
mos管在正常工作时,如果Vds电压超过了它所能承受的最大值,就会出现击穿现象,这种过压瞬间会让mos管内部形成非常大的电流和电压,导致mos管完全失去控制,最终导致mos管烧毁。
过压一般由三种原因引起:
第一种是电源电压异常,例如电压过高或过低等,就会导致mos管烧毁。
第二种情况是在mos管的驱动电路中,由于不良的工作条件导致mos管管脚电压过高、过低,就容易导致mos管击穿,引起过压。
第三种情况是在瞬态电压抑制电路中,由于TVS二极管失效或过流保护电路设计不当等原因导致的过压击穿,都可能导致mos管损坏。
mos管在正常工作时,如果温度超过了它所能承受的极限,就会导致mos管烧毁。过热一般由两种原因引起:
第一种是散热条件不良,例如大功率mos管的散热片过小、损坏等等,会导致mos管无法有效散热,最终超温烧毁。
第二种情况是在mos管的调试或使用过程中,由于电路工作不良,例如quartz晶体频率不准、温度补偿电路失效等情况,都会导致mos管内部电流过大,温度超过mos管所能承受的范围,从而导致mos管损坏。
mos管内部会集成一些微细的零件,例如MOS栅极氧化层,一旦受到静电激励会形成非常强的电场,从而击穿MOS栅氧化层,导致mos管损坏。静电击穿的情况比较常见,例如在驱动mos管时,由于操作不当而导致mos管遭受静电击穿。