MR是英文“Magnetic Resistance”的缩写,中文称之为“磁阻”元器件。它是一种以磁阻效应为基础的元器件,通过材料的磁阻效应,使电路在磁场中产生电阻变化而起到感应、传感、控制的作用。MR元器件一般具有高灵敏度、高频响、低功耗、体积小等特点。
MR元器件主要分为三大类:1)磁阻传感器;2)磁阻器;3)磁阻存储器。
其中,磁阻传感器是最常见的一类。它是通过材料的磁阻效应来实现对磁场的感应和测量。主要用于测量线性位移、角位移、磁场、电流等物理量。
磁阻器则是一种电阻器,其电阻值受磁场的影响而发生变化,可用作调谐电路、电容电路、滤波电路等。
磁阻存储器则是一种用磁阻效应实现信息存储的新型存储器设备,可分为MRAM和MTJ两种。
MR元器件因其高灵敏度、高频响、低功耗、体积小等特点,被广泛应用于许多领域,如磁敏感技术、磁医学、汽车电子、信息处理、空间技术等。
在磁敏感技术领域,MR元器件可用于制造各种传感器,实现对磁场、磁介质和电流等物理量的测量。在磁医学领域,MR技术被应用于核磁共振成像(MRI)等医学诊疗设备中。
在汽车电子领域,MR传感器可用于制造车速传感器、转向助力器、反馈传感器等,提高汽车的精度和性能。
在信息处理领域,MRAM(磁阻随机存取存储器)被认为是继SRAM、DRAM和FLASH后的第四代存储技术,可实现高速读写、高容量、低功耗、非易失等特点。
随着电子技术的不断发展和应用领域的不断扩大,MR元器件的应用前景也越来越好。未来,MR元器件将更加普遍地应用于各种新兴应用领域,如可穿戴设备、智能家居、物联网等。同时,MR元器件还将不断优化性能,降低功耗、提高集成度、提高可靠性,成为更加成熟、完善且应用广泛的元器件。