RAM是随机存取存储器(Random Access Memory)的缩写,是一种存储器件,用于计算机数据的临时存储。RAM分为静态随机存取存储器(SRAM)和动态随机存取存储器(DRAM)两种类型。SRAM是由触发器构成的,读写速度快但芯片面积大;DRAM则是由电容构成的,芯片面积小,但速度较慢。
SRAM是一种基于触发器的存储器芯片,每个存储单元由6个晶体管和多个电容器构成。SRAM的电路图包括读取电路、写入电路、列线与行线等。
其中读取电路包括四个部分:使能信号生成电路、地址译码电路、字选通信号生成电路和输出缓存电路。写入电路则包括写入数据、地址信号及写入使能信号的控制部分,以及刷新电路和写入缓冲区。
DRAM是一种基于电容器的存储器芯片,每个存储单元由一个晶体管和一个电容器构成。DRAM的电路图比SRAM简单,只需要一个读写使能信号、一个列地址、一个行地址和一个数据输入/输出线路即可。
DRAM的读写电路由三部分构成:地址译码电路、地址复用电路和加强电路。其中地址译码电路解码行地址和列地址,并控制单元存储器中相关行和列的字选通和位选通。地址复用电路则用于将写入地址和读取地址同时公用,提高芯片利用率。加强电路分为写入加强电路和读取加强电路。
RAM是计算机中运用最广泛的存储器芯片,广泛应用于计算机内存、Cache、显示器和打印机缓存等设备。其中高速的SRAM被广泛应用于高速缓存、帧缓存和DSP中,而高密度的DRAM则通常用于PC、服务器等设备的内存中。
除此之外,随着计算机和智能设备的不断普及,存储器需求也越来越大,新的存储器技术也逐渐产生。比如,高速非易失性存储器(NVRAM)、闪存存储器、MRAM(Magnetic RAM)和RRAM(Resistive RAM)等。