半桥电路包括用于驱动各个下部晶体管(T1)婷移现验书似和上部晶体管来自(T2)的低端驱动模块(威此用叫真110)和高端驱动模块(210)。360百科每个驱动模块(110,2区示先化搞复修曲10)是电荷俘获电路,其中低端驱动模块(11说助增0)用电容性负载(C)上的电荷驱动低端晶体管(T1),以及高端驱动模块(210)在它被高电压源驱动时交米异措划替地重新充电该电容性负载(C)。每个电荷俘获电路(110,210)还包括二极管(D1,D2)等向,它阻止在被驱动的晶体管(T1,T2)的栅极上电荷的非故意损失,以及包括齐纳二极管(Z1,Z2),余它把栅极电压箝位在安全电平。这样,半桥电路被有效地驱动,而不需要辅汽右沉施刘助电源。
常用T2表示,其具有一源帝温极被连接到输出端(120),以及具有一漏极被连接到轨(130)用于施加高直流电压;
常用T1表示,其具有一源极被制冲充五棉置连接到轨(140)用于施加低祖聚太析绍乙架美国直流电压,以及具有一漏极被连接到输出端(120);
上部晶体管控制电路(HS),用来自于通过把一个信号施加到上部晶体管(T1)的控制端而驱动该上部晶体管(T2);以及下部晶体管控制电路(110),用于通过把一个信号施加到下部晶体管(T1)的360百科控制端而驱动下部晶体管(T1),该下部晶体管控制电路 (110)包括:第三晶体管(T3),其具有一漏极被连接到输出端(120),以及其具有一源极被连接到二极管(D1)的阳极,该二极管(D1)的阴极被连接到下部晶体管(T1七令伤热云说)的控制端;以及第四晶体管(T4),其具有一漏极被连接到下部晶体管(T1)的控制端,以及其具有一源极被连与第等华态味父饭务接到用于施加低直流电压的白轨(140)。