栅极是一种用于控制场效应晶体管(FET)和金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)的电极。它位于晶体管的源极和漏极之间,以控制电流的流动。可以将其视为开关中的电流控制器。
栅极有两种类型:MOSFET和JFET。JFET使用PN结控制电流,而MOSFET使用一个绝缘栅区间介电体控制电流。MOSFET又被分为三种类型,包括增强型MOSFET,解弱型MOSFET和开关MOSFET。
栅极是晶体管中最重要的部分之一,它可以控制电流的流动。通过改变栅极电压,可以控制源漏电流。栅极电压增加时,源漏电流也会增大。当栅极电压达到某个阈值时,场效应晶体管的开关就会关闭。
除控制电流之外,栅极还有其他功能。通过在栅极上施加信号,可以调整晶体管的工作频率,实现信号放大和滤波等功能。
栅极制造主要有两个步骤:沉积和蚀刻。首先,在晶体管表面沉积一层绝缘材料,然后使用蚀刻技术在表面形成栅极。不同的沉积材料和蚀刻技术可以生产不同形状、尺寸和特性的栅极。
对于MOSFET,栅极一般由聚合物、多晶硅或金属等材料组成。对于JFET,聚合物是常用的栅极材料。