硅晶圆是一种用于制造集成电路的基本材料,它通常由纯度较高的单晶硅制成,直径从1英寸到12英寸不等,晶片的厚度通常在0.5毫米左右。硅晶圆的结构分为四层,分别为表面氧化层、硅核心层、背面金属层和侧面被抛层。
表面氧化层是由氧化硅构成,用于保护硅核心层,同时也可以用于制造MOS电容等元件。硅核心层通常是P型或N型单晶硅,其中掺杂材料可以是硼或磷元素,以控制
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