IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)是一种功率半导体器件,其具有普通晶体管和普通MOSFET的优点。 IGBT结温是指IGBT芯片的工作温度,这是衡量芯片在工作状态下能否稳定工作的重要参数之一。IGBT结温高会导致器件老化加速、使用寿命缩短等问题。
IGBT结温的大小直接决定了器件的电性能,包括导通压降的大小、漏电流和开关速度的大小等。测量IGBT结温可以判断器件的散热情况,从而及时采取应对措施,确保器件正常工作。
目前,主流测量方式有两种:一种是直接在芯片上安装热敏电阻,用以测量芯片表面温度;另一种是通过反推芯片温度,即通过测量器件的引脚温度和芯片的热耦合特性,推算出芯片的结温。
需要注意的是,在测量IGBT结温时,还需考虑芯片的工作状态,比如是否长时间工作在高温状态下,是否在重复高电流电压下工作。
要减小IGBT结温,关键是加强对散热的管理。可采取以下措施:
1、增大散热器面积,增强散热能力;
2、增设风扇、水冷装置等强制降温设备;
3、选择低电压、低电流等合理的工作条件,以降低器件功率损耗,从而减低温度;
4、采用合适材料进行封装,提高器件可以承受的最高温度。