场效应，也叫场致控制效应（Field-Effect Control Effect），简称FET。它是一种典型的电子学器件，广泛应用于模拟电路和数字电路中。场效应是指在某些材料中，当外加电场作用时，会出现电势障垒改变的现象。这种现象可用于制作场效应器件，即FET。FET是一种控制电流的电子器件，其工作原理是通过控制通道中载流子的浓度，来控制通道的电导率。因此，FET具有高输入阻抗的特点。
场效应管（Field-Effect Transistor），简称FET。它主要分为三类，包括金属氧化物场效应管（MOSFET）、结型场效应管（JFET）和共栅场效应管（IGBT）。
其中，MOSFET是目前使用最广泛的场效应器件之一。它的核心是金属氧化物半导体结构（MOS），在MOS结构上形成了一个被控制的导电通道。MOSFET的主要特点是输入电阻高，控制电压低，能耗小，适用于高频电路。
JFET是一种基于PN结反型区的荟萃的场效应管。它的主要特点是拥有非常低的输入电容和噪声，适用于低频电路。
IGBT是一种介于MOSFET和双极性晶体管之间的器件。它主要由PN结和MOS结组成，结构比较复杂，但具有低导通电阻和大电流承受能力的特点。IGBT广泛应用于高功率、高压力的场合，例如变频器、电动汽车等。
场效应管的原理是通过控制介电层下方半导体材料的载流子密度，以达到调节电阻值的目的。在完整的器件中，除控制部分外，还包括了源极、漏极、沟道等元件，以及金属、线路等支撑结构。各种场效应管虽然具备相同的工作原理，但在应用中有各自的优缺点，需要根据具体需求进行选择。
由于场效应管具有高输入阻抗、速度快、功耗低等诸多优点，因此在电子学领域中得到了广泛的应用。例如，场效应管可应用于低噪声放大器、振荡器、滤波器等高频电路，以及电源管理电路、运算放大器、电路保护等低频电路中。此外，场效应管还广泛应用于集成电路领域，成为数字电路芯片的重要组成部分。
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