pn结是指由一种p型半导体和一种n型半导体交接而构成的结，是半导体器件的基本组成单元之一。它具有单向导电性质，即在正向偏置时具有很小的电阻，可以通过电流，而在反向偏置时则具有很大的电阻，几乎不传导电流。
由于pn结的单向导电性质，它被广泛应用于电子学领域，例如用于电源的电压稳定器、用于放大和开关的晶体管等。此外，在太阳能电池和发光二极管中也常常采用了pn结的结构。
在电路中，pn结的正向偏置和反向偏置都有重要的应用。
正向偏置：在pn结内加上正电压时，使p端电势高于n端电势，电子和空穴从n端向p端扩散运动，同时受到电场的作用向n端运动，由于p型半导体中的施主离子具有电子，提高了p半导体内电子的浓度，使它们可以向n-type运动，同时由于n型半导体中受主离子有空穴，提高了n半导体内空穴的浓度，使它们可以向p型半导体内运动。这样在pn结正向偏置时，p-n结区域内出现了较多的自由电子和空穴，更有利于电子和空穴的复合放出能量，使电压稳定器的电流可以稳定输出。
反向偏置：在pn结内加上反向偏置的电压时，使p端电势低于n端电势，电子和空穴遭受电场力与扩散力的作用，向p区和n区方向运动。因为pn结具有很大的阻值，接通偏置电源时，几乎没有电流流过，可以防止电路元件损坏。
pn结的制造方法主要有扩散法、插入法和外延法等多种方法，其中最常用的是扩散法。
扩散法：首先需要制造一块n型或p型掺杂的硅片，再在硅片表面加以掩膜，只让需要制作的部分裸露在外。然后将掺有适当掺杂元素的粉末或气体加热，使其扩散到硅片上裸露的部分，同时进行掺杂。当加热和扩散完成后，去掉掩膜，就会得到一个p-n结。这种方法简单可靠，成本较低，适合于制造小批量的元件。
插入法：首先制成一块n型硅片，然后将p型硅片插在n型硅片上，通过高温扩散使它们形成联系。这种方法生产出来的元件质量较高，但成本相对较高。
外延法：即在一块外部基片上生长出一个足够大的晶体，晶体内部由p-n结构形成。这种方法成本高，但成品质量优良。
在实际使用pn结时，需要注意以下几点：
（1）避免高温烧结：高温会对pn结的构造和性能产生不可逆的影响，因此需要在加热和制造过程中注意不要让温度过高。
（2）防止过大的反向电流：在实际使用中，反向电流不能过大，否则将对系统性能造成损害。
（3）避免机械损坏：由于pn结的结构较为脆弱，使用时需要注意避免机械损坏，否则可能会影响其工作性能。
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