场效应管(Field Effect Transistor,FET)是一种控制型器件,也称为电压控制型器件。
场效应管的控制方式主要是通过调节栅极电压来控制源极和漏极之间的电流。
当栅极电压变化时,栅极周围的电场就会发生变化,将作用于源极和漏极之间的导电层,从而改变导电层中的电子浓度和移动迁移率,进而改变源极漏极之间的电流。
场效应管具有输入电阻高、功耗低、响应速度快、噪声小等特点,因此被广泛应用于各种低噪声、低功耗、高频率的放大器和开关电路。
此外,场效应管还具有温度稳定性好、结构简单、易于集成等优点,是当前各种集成电路中的重要元件。
根据场效应管的工作原理及结构不同,可以分为三种不同类型的场效应管:JFET、MOSFET和IGBT。
JFET(Junction Field Effect Transistor)即结型场效应管,是通过PN结的反向偏置来控制电流的。
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor)即金属氧化物半导体场效应管,是通过控制栅极与源极之间的电场来控制电流的。
IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极晶体管,是结合了双极型晶体管与场效应管的优点而发展出来的一种晶体管。