每管承受的最高反向电压是指在管子结反向击穿时,管子管芯和管外部分之间允许的最大电压值。反向击穿时,芯片上的空穴和自由电子通过结区域并发生三次碰撞,每次碰撞带来一个电子或空穴。它们将在结区域内快速失去其初始能量,因而它们将与结区域中自由载流子发生碰撞。碰撞产生新的空穴或电子。在一定电场下,每个电子或空穴的能量就足够让它离开晶体,成为载流子,它们被加速离开结区域并在近似电场下在整个管子中传输导电,导致管子出现反向电流。
每管承受的最高反向电压对于电子元器件的安全性至关重要。如果电压超过了规定的最大值,晶体管芯片内的结可能会击穿,导致永久性损坏或烧毁。此外,电压过大也会引起电流过大,进而导致管子的过热,从而影响到设备的稳定性和使用寿命。
对于不同的晶体管工作条件,承受的最大反向电压也存在不同。因此,在选择晶体管时,要根据具体的应用场景和要求选取承受最大反向电压适合的晶体管。
为了提高每管承受的最高反向电压,主要有以下几种方法:
1、增加晶体管芯片和外部电路的电绝缘强度。道底和上欠区间距离增加、加强阴极结的镀膜质量和阴极结与管壳的连接等都可以提高电子器件的静电强度。
2、添加PN结禁区外的阻抗。晶体管结区的外部添加低阻抗之后,可以有效地防止反向电压击穿,因此得到了广泛应用。
3、选择可承受反向电压的晶体管芯片。晶体管芯片中,耐压等级越高,其承受反向电压的能力也就越强。
每管承受的最高反向电压通常由生产厂家在生产过程中进行测试,并将测试数据记录在手册或数据表中。对于需要自行测试每管承受的最高反向电压的情况,可以使用数字万用表或分压电路进行测量。具体步骤为将晶体管的电极引线分别接入万用表或分压电路中,然后按照单向交流电压的测试程序进行测试,得到反向击穿电压的值即为晶体管每管承受的最高反向电压。