BJT（Bipolar Junction Transistor），中文名双极型晶体管，属于半导体电子器件的一种。
BJT由三个掺杂不同类型的半导体材料构成，从而形成了两个PN结，其最为突出的特点是能够通过控制电流的方式对电路进行放大、开关等操作。
BJT可以按照结构分为NPN型和PNP型两大主要类型。具体来说，NPN型的BJT由P型半导体夹在两个N型半导体之间构成，而PNP型的BJT则是N型半导体夹在两个P型半导体之间。
此外，BJT还可按照制造工艺技术分类为功率型、高频型等多种类型。这些类型的BJT在实际应用中都有广泛的用途，功率型BJT主要用于高电压、大电流的场景下，而高频型BJT则有着更高的频率响应能力，适用于高频放大和振荡电路等领域。
BJT是由三种掺杂不同的半导体材料构成的双极结，分别是Collector（集电极）、Base（基极）和Emitter（发射极）。在等效电路模型中，BJT可以被视为由两个PN结构成的二极管，即Base-Emitter结和Base-Collector结，这种结构称为PNP或NPN结型。
基本工作原理是：当NPN型晶体管的基极与发射极间加正电压时，基区被注入大量不同于发射极的载流子，此时P型基区变成了N型电性，形成了电子的大量注入，从而引起集电极电流的变化，即集电流变大：当基极、发射极间的正电压加大时，基区的导电能力也增大，这样使得集电电流成倍的增强，实现了电流放大。
BJT作为一种数字与模拟混合型器件，广泛应用于电子电路设计的各个方面。在数字电路中，BJT通常用于输出驱动、缓冲放大等控制逻辑任务。而在模拟电路中，BJT则主要用于放大电路、滤波电路、功率放大器等应用领域。
此外，BJT还可以应用于射频（Radio Frequency，RF）及微波（Microwave）领域，例如无线电收发机、雷达系统、电视机等领域。
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