晶闸管是由四层半导体材料(P、N、P、N)交替组合而成的。其中有两个P型半导体材料和两个N型半导体材料。晶闸管的核心元器件是PNPN结,它与二极管的结构类似,但是加入了一个门极。
门极和两个P型半导体以及两个N型半导体所组成的晶片共同组成了晶闸管。晶闸管的闸极在PNPN结的金属性单晶硅上覆盖了一层金属电极,根据硅表面技术的不同,闸极包层的材料和形状可以有所不同。
PNPN结具有电流控制和电压控制两种特性,这是晶闸管的重要特点。在PNPN结的外围,P型区和N型区之间的耗散堆积电容相当大,这是晶闸管的一大特征,也是它与其他器件不同的地方,这种结构可以实现大电流的控制。
晶闸管的正向电压下,PNPN结两端接通的电阻非常小,电流流经晶闸管时的损耗也非常小。但是,晶闸管在导通过程中会有巨大的正向压降,一个正常的晶闸管的正向压降会在几百毫伏特到几十伏特之间,这与温度、晶体的发射特性、电源电压等因素有关。
晶闸管的阳极和阴极分别是PNPN结的两个P型半导体区和两个N型半导体区,它们分别对应于二极管的正极和负极。发射极是晶闸管的第三个极,也被称为闸极,它负责控制晶闸管的导通和截止。
控制信号的加入只对闸极有影响,阳极的电流和阴极的电流受到的影响很小。当闸极接收到触发电压时,即使阳极和阴极之间的电压较低或为零,晶闸管也能迅速的导通。
晶闸管还有一个附加部分,即辐射散热片,它被拼接在PNPN结的两侧以增加散热面积,帮助晶闸管消除由于高温引起的损坏和稳定温度,以确保晶闸管稳定的工作。
晶闸管正常工作时,必须经过保护电路的保护。总体而言,晶闸管的保护电路主要包括三个部分:过电压保护、过流保护和驱动保护。