BJT是双极型晶体管的英文简称,是一种三层结构的半导体器件。它是由一片中心区域被夹在两个掺杂相反类型的外层区域之间组成的。
BJT有三个区域,分别是发射区(Emitter),基区(Base)和集电区(Collector)。基区是精心设计和掺杂的,它有助于控制电流和完成放大和开关操作。
在一个NPN型BJT中,当发射结(e-junction)为正偏,集电结(c-junction)为反偏时,它处于“截止”状态,没有电流流过它。
如果发射结被进一步正偏,而集电结被进一步反偏,将会在中间的基区间产生一个薄的反向偏压区域,这时可以得到小的集电电流,但是BJT的放大倍数很小。
当基极电压越来越大时,这个反向偏压区域缩小并移向PN结交界处,此时BJT开始进入放大区。现在,集电区由于被调整,可以通过多个电子从发射区进入基区和集电区,进而从集电区到外部电路,此时BJT开始放大电流。
BJT在电路中常常被用作电流控制器件,因为它对电路中的电流特别敏感。通过控制输入的电流变化,可以控制BJT中的基极电流变化,从而控制集电电流的大小。
当输入的电流变化很小时,输出的电流也很小。但当输入电流变化较大,输出电流也就变得非常大。
由于BJT是一种非常重要的电子元件,因此它在电子电路中有着广泛的应用。BJT可用于各种不同的应用,例如振荡器电路、放大器电路和开关电路。
在放大器电路中,BJT可以增加输入信号的大小,并将其转换为较大的相似信号,这是一种常见的信号放大方法。
在开关电路中,BJT可以让电流在不同的方向流动。当基极电压大于某个特定值时,BJT可以让电流流过,从而实现电路开启的效果。