什么是动态存储器刷新 动态存储器的刷新机制

什么是动态存储器刷新

动态存储器（DRAM）是一种常见的电子存储器，它通过将数据存储在电容中来存储信息。然而，由于电容会在时间上失去电荷，因此需要定期刷新来保持数据的正确性。这个过程被称为动态存储器刷新。

刷新频率的影响

刷新频率指的是DRAM内存芯片需要定期接收一个来自控制器的信号，以重新充电电容。刷新频率越高，内存的数据就越稳定，但也会导致处理器占用更多的带宽，并降低内存的效率。

在过去，DRAM内存芯片通常使用64ms的刷新周期。但是随着内存容量的增加和性能的提高，刷新周期已经降低到了约15.6us。

行刷新和页刷新

行刷新是一种单独刷新存储器的方法。内存中的数据被组织成行和列的形式，其中行是存储器中的一组电容器，列则是存储器中的一个电容器。行刷新是指对内存中的每一行依次进行刷新。

然而，行刷新具有很大的延迟，因为处理器需要等待刷新完成才能访问存储器。为了提高内存访问的效率，页刷新被引入。页刷新是指在单个内存页上进行刷新，而不是在整个DRAM中执行行刷新。

自动与手动刷新

DRAM存储器有两个刷新模式：自动和手动。自动刷新是由DRAM控制器负责发送刷新信号，通常无需操作系统的干预。手动刷新需要操作系统或应用程序发送刷新指令来手动扫描存储器中的所有行并重新充电。

手动刷新虽然比自动刷新更灵活，但也需要更多的干预和处理，因此很少使用。