UTC4N60是一款N沟道MOS场效应晶体管,属于高低压MOSFET,适合用于交流电和开关电源。因为它具有低阻和快速开关的特点,所以常用于功率放大器和驱动器。这款管子还有着耐高压、阻抗低、承受电流大、损耗小等优点,非常适合应用于高频开关电源、LCD背光驱动器、照明、变压器、汽车电子等领域。
首先,UTC4N60采用了Sanyo公司的U-MOSⅦ工艺。该工艺采用晶管设计、制造和控制技术,可将栅极电压控制在预定范围内,从而实现高性能、低压降、低漏电流和低电容。其次,UTC4N60管子采用表观电路技术和直接导通方式,可以在小信号下保持高阻抗,同时减少输入和输出电容。此外,该管子采用开孔结构设计,使得栅极电极可直接接触到表面上的n型半导体,有助于提高速度和导通能力。
UTC4N60有许多出色的特点和参数,以下是一些主要特点和参数:
UTC4N60由于其高性能、低压降、低漏电流、低电容、低静态电流等特点,使得它被广泛应用于一些需要高稳定性和长寿命的场景中。主要应用于: