在电子电路中，th通常表示“温度系数”，即Temperature Coefficient。随着温度的升高，电阻、电容等元器件的电学参数会发生变化，而th系数用于表示这种变化。
电子电路中常用的碳膜电阻、金属膜电阻等电阻器件的阻值会随着温度的变化而发生变化。为描述这种变化，引入了th系数的概念。th系数指的是温度每升高1摄氏度时电阻值变化的比例，通常以ppm/℃表示。例如，一款电阻器件的th系数为500ppm/℃，表示在温度变化1℃时，该电阻的电阻值将变化0.0005倍。
对一些要求稳定性很高的电路，例如精密测量仪器、高精度放大器等，要求使用th系数尽可能小的电阻器件，以确保电路的准确性和稳定性。因此，制造商会在电阻器件的产品参数中标注th系数。
电子电路中常用的电解电容、陶瓷电容等电容器件的电容值也会随着温度的变化而发生变化。同样地，引入了th系数的概念来描述这种变化。th系数指的是温度每升高1摄氏度时电容值变化的比例，通常以ppm/℃表示。例如，一款电容器件的th系数为100ppm/℃，表示在温度变化1℃时，该电容的电容值将变化0.0001倍。
对于一些要求稳定性很高的电路，例如振荡器、滤波器等，要求使用th系数尽可能小的电容器件，以确保电路的准确性和稳定性。因此，制造商也会在电容器件的产品参数中标注th系数。
除了电阻、电容之外，电子电路中还有一些其他元器件，例如晶体管、二极管等也可能存在温度效应。在这些元器件中，一般会存在一些温度相关的参数，来描述其特性随温度变化的情况。例如，晶体管的温度稳定性可以用VBE-temperature coefficient来描述。
对于需要在高温环境下工作的电子设备来说，温度效应同样是一个重要的问题。如果元器件的th系数过大，可能会导致整个电路的性能不稳定。因此，在电路设计中需要尽可能充分考虑到温度效应，选择具有较小th系数的元器件进行设计。
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