在电子元器件中,g代表的是场效应管(FET),也称为晶体管。它是一种控制电流的电子元件,通常用于放大和开关电路中。
场效应管中,g代表栅极(Gate),控制栅极电压可以控制电流的流动情况。相比于双极性晶体管(BJT),场效应管的输入电阻更高,噪声更少,功耗更低。
场效应管主要分为三种类型:JFET(结型场效应管)、MOSFET(金属氧化物半导体场效应管)和IGBT(绝缘栅双极晶体管)。JFET是早期的一种场效应管,优点是工艺简单,但缺点是漏电流大,饱和电压低。MOSFET是目前应用最广泛的场效应管,有N沟道和P沟道两种常用类型。IGBT结合了双极性晶体管和MOSFET的优点,适用于大功率开关和变频器等领域。
场效应管的应用很广泛,例如在音频放大器、功率放大器、开关电路、滤波器、振荡器、逆变器等电路中均可以使用。
MOSFET还可以用于制造集成电路(IC),尤其是数字集成电路(例如处理器、内存等),因为它们特有的高输入电阻和低静态功耗。
场效应管相比于双极性晶体管具有如下优缺点: