半导体动态ram靠什么 半导体RAM的工作原理是什么？

1、靠电容实现存储

半导体动态RAM（DRAM）靠电容实现存储，具有高集成度，不易失真等优点。DRAM的标志就是存储单元的电容和刷新电路。存储单元由一个电容和一个MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor)组成，所以DRAM中的存储单元也被称作“电容存储单元”。电容的电荷表示存储位的状态（1还是0），从而实现信息存储。

DRAM需要不断地刷新电容存储中的信息，否则电容高阻态的电荷会在一个时钟周期后被电容自身所吸收，从而导致存储的位值出错。因此，这种动态存储器需要周期性地进行“刷新”操作，消耗许多电力。而静态RAM（SRAM）不需要忙于刷新，可用于笔记本电脑的缓存内存中。

2、靠锁存放大器进行信号处理

DRAM中存储单元和放大器（通常是差分放大器）形成一起的存储单元，能够克服设备噪声和其他干扰，从而保证高效数据的传输。锁存放大器可以根据电荷电压的变化，输出不同的电压差，判断存储位的状态。这种放大器具有高增益和抗噪声等特点，能被广泛地应用在半导体动态RAM中，扮演着非常重要的角色。

3、靠基于数码控制的驱动设计实现读写

半导体动态RAM的读写操作通过数码控制电路来进行。对于读操作，首先要选中特定的DRAM存储分区，把它与位线相连，同时把列线与“列选择器”相连。列选择器通过“列地址译码器”和“列选择电路”确定所需要读的列，并把列输入给放大器的输入端。对于写操作，数据通过“写数据缓冲段”输入到内存，然后进入“列选择电路”通过“列地址译码器”控制芯片所要操作的列。驱动电路经过数码控制来选中要访问的存储单元，实现读写操作。

4、靠设计先进的封装技术提高性能

现代DRAM元器件需要大量的存储单元来实现存储。因此，微型化的DRAM及高密度多存储器的应用需要采用先进的集成电路封装技术，例如TSOP-I、TSOP-II、 FBGA（Fine-pitch BGA）等。高集成度与复杂性使DRAM的设计和生产变得困难，特别是芯片封装和制造工艺方面。但随着技术进步，设计先进封装技术的DRAM产品的性能将不断提高，从而提高半导体动态RAM的应用领域。