联发科p10采用的是12nm的制程工艺,这是一种相对较新的工艺,可以实现更高的性能和更低的功耗。相比于16nm的工艺,12nm的工艺可以在同样的晶片面积上容纳更多的晶体管。
此外,联发科p10还采用了FinFET三维晶体管技术。与传统的平面晶体管相比,FinFET三维晶体管具有更好的开关控制能力和更低的漏电流,这有助于提高芯片的性能和降低功耗。
通过采用12nm的制程工艺以及FinFET三维晶体管技术,联发科p10可以实现更高的性能和更低的功耗。相比于上一代芯片,联发科p10的CPU性能提升了12%,GPU性能提升了40%。同时,功耗也得到了较好的控制,整体功耗降低了25%。
采用了更先进的制程工艺和技术,联发科p10还具备更好的散热性能。其晶体管密度更高,导致芯片的面积更小,散热表面积相对变大,更容易排散热,从而提高了手机的稳定性和硬件寿命。
联发科p10的制程工艺也对续航能力产生了影响。12nm的工艺带来的功耗优化以及FinFET三维晶体管技术的应用,都有助于减少芯片的能耗。这使得手机续航能力得到了大幅提升,用户可以更长时间地使用手机。
此外,在制程工艺上的升级也可以降低手机发热量。由于制程工艺数量的减少,能量密度更高,芯片发热控制更容易,从而减少了手机可能出现的过热和崩溃的风险。
联发科p10采用的制程工艺已经在许多知名品牌的手机上得到了应用。例如,OPPO R11、小米6等手机都采用了联发科p10芯片。这些手机在各项性能指标上都得到了多方面的升级,同时也实现了更出色的续航表现。
随着5G时代的到来,制程工艺的升级将继续为智能手机带来更好的性能和用户体验。联发科p10采用的12nm制程工艺和FinFET三维晶体管技术的成功应用,为智能手机行业的发展带来了新的契机和挑战。