浮冲电是指在半导体器件中,由于电子与空穴在PN结附近的复合,产生的少量电流和电荷。这种电流又称为漏电流,而产生这种漏电流的现象就叫做浮冲电。理解浮冲电对我们研究半导体器件具有重要意义。
那么,为什么会产生浮冲电呢?这是因为PN结在通电状态下,由于载流子的注入和扩散,使得PN结两侧的电荷分布不均,出现自生电场。在低温和低电压下,PN结周围电子空穴对的几率增加,复合几率也增大,这导致了少量的电子和空穴在PN结处发生复合,产生的电流就叫做浮冲电。
随着温度和电压的升高,浮冲电的强度也会增加。同时,在半导体材料品质较差时,浮冲电就会更加明显。
虽然浮冲电产生的电流很小,但却具有一定的影响。首先,它对器件的稳定性有一定的破坏作用,可能会导致器件性能的下降或者损坏。其次,浮冲电会导致输入端或输出端的阻抗发生变化,引起电路的失真和噪声。
为了避免或者减小浮冲电对半导体器件带来的不良影响,我们可以采取一些应对措施。其中,最有效的方法就是在晶体管上接入抑制浮冲电的二极管,可以有效地接收和消耗产生的漏电流。此外,还可以使用高品质的半导体材料,优化半导体器件的结构和制作工艺,来降低浮冲电的产生强度。