双硅和单硅什么区别 双硅和单硅的不同之处

1、制备工艺的不同

单硅和双硅是制备半导体硅材料时常用的两种方式，其区别在于制备工艺的不同。单硅是通过将硅材料加热至高温（约1420℃）后再逐渐冷却，经过多次循环浸润、回流等步骤制备而成，这一制备过程非常复杂。

双硅的制备相对简单，主要是将一块单晶硅用化学气相沉积法在表面沉积一层氧化硅，然后再将其裂开，此时裂开的两个表面均为单晶硅，即所谓的双硅。

2、应用领域的不同

单硅和双硅在应用领域方面也有很大的不同。在IC工艺中，单硅因其晶粒尺寸比较大、杂质较少，且更加均匀，因此适合制造大规模模数制品或低功耗的高可靠性产品。

而双硅使用的领域更加广泛，比如制备高速复杂器件、制造高端微处理器等都离不开双硅的参与，因为双硅有着更高的硬度和抗氧化能力，可以制造更加高效的电子器件。

3、物理性能的不同

单硅和双硅在物理性质上也有所不同。单硅的晶粒大小一般在0.1-1.0mm之间，硬度和抗氧化能力较低，但导电性能比较好。而双硅由于表面被氧化硅保护，因此常常被用来制作高难度器件，比如高稳定性振荡器、特殊传感器等。此外，双硅的热传导性能也比较优秀，具有非常好的导热性。

4、成本和市场需求

最后，也许是最关键的一点是，单硅和双硅在成本和市场需求上的不同。单硅因为制备工艺繁琐、成本高昂，价格较贵，主要应用于高端领域。而双硅制备过程相对简单，且应用领域广泛，成本较低，市场需求量也更大，因此价格不同，市场需求也不同。