发射结电压,也叫做开关电压,指的是晶体管等半导体器件在封装后,通过外部引线向外接口时,在正反向电压下,发射结电流截止的最大电压。
发射结电压是半导体器件的重要参数之一,表示器件的逆压承受能力,通常用来描述晶体管在导通和截止状态间的转换。
在选择半导体器件时,尤其是在选择开关型晶体管、继电器等电子元器件时,需要考虑器件的发射结电压是否适应实际工作场景。如果逆压过小,可能会导致器件损坏,无法正常工作;如果逆压过高,会增加器件成本,降低器件的工作效率。
因此,在选择半导体器件时,需要根据实际工作环境的电压要求,综合考虑电路参数、发射结电压等因素,选择合适的器件。
为了保障半导体器件的质量,通常需要对发射结电压进行测试。以下是几种常见的测试方法:
1)直流法:将直流电压施加在器件的发射结处,通过改变电压大小,测量电流的变化情况,得到器件的发射结电压值。
2)脉冲法:通过脉冲信号的形式,施加不同幅值的电压,在各电压下测量电流的变化情况,得到器件的发射结电压值。
3)交流法:通过交流信号的形式,测量器件在正反向电压下电流的变化情况,得到器件的发射结电压值。
发射结电压的应用很广泛,主要涉及到电力电子、通讯、计算机、汽车电子等领域。
在电力电子领域,发射结电压是评估开关管和二极管逆电压性能的主要参数,可以应用于交流电源、逆变器、DC/DC转换器等。
在汽车电子领域,发射结电压可作为评估汽车电子模块电气性能的关键参数,常常被用于评估汽车电子模块所在的环境是否适应。
在通讯领域,发射结电压是评估半导体器件性能的关键参数之一,对于保障设备的正常运行和抗干扰性能至关重要。