CMOS是一种晶体管类型,又称互补金属氧化物半导体(CMOS)技术,它适用于微处理器、电子时钟、数字电路和迷你电脑等电路的制造过程。CMOS是一种基于表面场效应晶体管(Si-FET)的半导体技术,在数字集成电路(IC)、电子电路中应用广泛。
CMOS设备的静态功耗是说明性能的一个重要参数,是指在不进行充电和放电操作时,电路依然需要消耗的功率; CMOS设备的静态功耗可以通过使用更好的制造技术和设计优化来降低,这可以节省能源和延长设备使用寿命。
实际上,CMOS设备的静态功耗是一种典型的双指数函数,即当开关门限电压(Vt)的变化在进行极限缩放时,功耗将呈指数级增长。另外,还有一些晶体管漏流的问题,如果没有进行恰当的优化设计,也会导致功耗的增加。
CMOS设备的延迟是指从一个设备收到信息开始,到设备响应信息的时间,CMOS设备的延迟是性能的另一个重要参数。随着CMOS设备的逐渐缩小,延迟问题逐渐显现出来。
使用更短的线路、更细的互连线和更好的工艺可以缩短延迟。此外,在设计上需要尽可能减少器件数目,减少布线的长度和存在的谐振,以减少器件的延迟时间。
CMOS设备的噪声是另一个重要的性能指标,噪声包括两个主要类别,即随机噪声和相干噪声。随着CMOS设备的逐渐缩小,噪声成为越来越大的问题。
CMOS噪声级别通常由在给定频段内的等效噪声值表示,等效噪声值是电子学的术语,用于描述噪声源通过电经量比较评估如何影响电路信号的强度。