Fets一词源于英语Field Effect Transistor的缩写,是一种电子元件。它是半导体器件的一种,主要用于模拟电路和数字电路中作为开关或放大器。与传统的双极性晶体管相比,FET具有高输入电阻和低噪声等优点。
FET有三个脚:源极、漏极和栅极。在操作时,栅极搭建一个电场,从而控制电流经过FET的速度。在电路中,FET可以实现类似于二极管和晶体管的基本功能,同时也可以作为用于微处理器的高速逻辑操作器件。
FET可以分为多种类型,包括:MOSFET、JFET、IGBT等。下面分别介绍:
MOSFET是金属-氧化物半导体场效应管的缩写,是一种制造方便,用途广泛的FET。它由德国物理学家Bernardus D. H. tellegen在1950年发明,现在被广泛应用于集成电路、显示器、电源电路等领域。
JFET是结型场效应管的缩写,是一种三引脚单极性半导体器件。它主要用于放大电路和电压隔离电路。JFET具有工作稳定,输出噪声小等优点。
IGBT是绝缘栅双极型晶体管的缩写,是一种功率半导体器件。它在MOSFET和晶体管的基础上发展而来,可以实现高压、大电流的控制。IGBT被广泛应用于电动汽车控制器、重载机械和公用事业的高压变流器等领域。
FET的应用领域非常广泛,下面我们介绍一些常见的应用:
在模拟电路中,FET常常被用作放大器,在信号到达输出之前改变电压的大小。FET比双极性晶体管更适合模拟应用,因为它的输入阻抗高,并且不会引起着火或损坏。
FET在数字电路中也有广泛的应用,例如用作CMOS (Complementary Metal-Oxide-Semiconductor)逻辑门的输入和输出级别变换器。
对于功率电子学应用,IGBT是最常见的FET类型。通过控制输入信号的电压和电流,IGBT可以实现精确控制高电压和大电流,从而实现电力电子控制器和驱动器。
FET是一种常用的电子器件,由于其高输入电阻、低噪声等特点,在模拟电路、数字电路和功率电子学等领域有着广泛的应用。在实际应用中,我们需要根据具体的需求选择不同类型的FET,例如MOSFET、JFET、IGBT等。