在逆变器后级的H桥中，常用的开关管有两种：IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）和MOSFET（Metal-oxide-semiconductor Field-effect Transistor）。在选择时，需要考虑功率损耗、开关速度、电压等级、电流承受能力等因素。
IGBT虽然功率损耗较大，但其集成度高，电压等级和电流承受能力都很强，因此广泛应用于高功率逆变器中；而MOSFET功率损耗小，开关速度快，适用于低功率逆变器中。
因此，在选择逆变器后级用H桥的管时，需要根据具体使用场景和要求，选择适合的IGBT或MOSFET。
在逆变器的H桥中，用于驱动管子的晶体管有两种方法：自举式驱动和分立式驱动。自举式驱动是让H桥管子的源极与H桥的电源电压相同，通过一个电容器和一个二极管，将H桥的高侧信号转换为低侧信号。分立式驱动则是采用专门的驱动器来控制管子的开关。
自举式驱动简单、成本低，但其在高效率转换器中应用会受到限制，尤其是在高开关频率时。而分立式驱动虽然成本较高，但更加灵活、可靠。
因此，需要根据实际情况选择适合的驱动方式。
管子的开关速度是指其从导通到截止的转换时间，一般来说，开关速度越快，管子的越容易损坏。因此，需要根据具体情况选择合适的开关速度。
如果使用的是IGBT，则其内部并联有反并型二极管，因此其开关速度比MOSFET要慢，但其能够承受更高的电压和电流，因此适用于高电压、高功率场合。而MOSFET具有较快的开关速度，能够实现高效率转换，适用于低功率、低电压场合。
因此，在选择逆变器后级用H桥的管时，需根据具体场合进行合理的选择。
在实际应用中，管子的温度会对其工作状态产生很大影响。一般来说，温度升高会使管子的导通电阻下降，但同时也会降低其电流承受能力，严重时甚至会烧坏管子。
因此，需要在选择管子时，对其温度特性进行综合考虑。一些型号的管子具有过温保护和故障保护功能，能够提高其可靠性。
另外，在实际应用中要注意管子散热情况，合理设计散热系统，保证管子工作在正常温度范围内。
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